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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDT86113LZ 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

内部编号

3-FDT86113LZ

#1

数量:73800
1+¥3.2361
25+¥3.0049
100+¥2.8508
500+¥2.7738
1000+¥2.6197
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:880
5+¥4.009
50+¥3.553
500+¥3.42
2500+¥3.382
5000+¥3.3535
最小起订量:5
英国伦敦
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#3

数量:9870
5+¥4.932
50+¥4.132
500+¥2.666
2500+¥2.642
5000+¥2.618
最小起订量:5
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDT86113LZ产品详细规格

规格书 FDT86113LZ datasheet 规格书
FDT86113LZ datasheet 规格书
FDT86113LZ datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.3A
Rds(最大)@ ID,VGS 100 mOhm @ 3.3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 6.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 315pF @ 50V
功率 - 最大 2.2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
包装材料 Tape & Reel (TR)

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